東京大学(東大)は、不揮発性の「磁気抵抗メモリ」(MRAM)の次世代材料として開発した、マンガンとスズの合金であるワイル反強磁性体「Mn3Sn」の磁気秩序が、強磁性層の磁気状態安定化のために現行の強磁性体を用いたMRAMでも使われている界面磁気結合効果の「交換バイアス」により制御可能であることを発見したと発表した。 |
ソニーのフラッグシップスマートフォン新製品「Xperia 1 VI」が発表]され...
シグマが、フルサイズミラーレス用の大口径標準ズームレンズ「SIGMA 24-70...
富士フイルムが、Xマウントの交換レンズ「フジノンレンズ XF16-50mmF2....
コロプラとMIXIは、共同で手掛けている“祭”新作スマホゲームの発表特番を202...
Fossbytesはこのほど、Googleが新たな検索フィルター「Web」をリリ...
コンピュータエンターテインメント協会(CESA)は、東京ゲームショウ2024(T...
三栄コーポレーションは5月16日、家電ブランド「Vitantonio」から、つく...
米国土安全保障省サイバーセキュリティ・インフラストラクチャーセキュリティ庁(CI...