三菱電機は6月10日、大容量SiCパワー半導体「SBD内蔵SiC-MOSFETモジュール」の新製品として、耐電圧/定格電流「3.3kV/400Aタイプ」と「3.3kV/200Aタイプ」の低電流領域の2製品を追加したことを発表した。
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三菱電機は6月10日、大容量SiCパワー半導体「SBD内蔵SiC-MOSFETモジュール」の新製品として、耐電圧/定格電流「3.3kV/400Aタイプ」と「3.3kV/200Aタイプ」の低電流領域の2製品を追加したことを発表した。
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