東京大学は、室温かつゼロ磁場の条件下で異常ネルンスト効果を発揮する薄膜を、鉄とスズから作製した。横型熱電効果で、大面積でフレキシブルなデバイス構造を低コストで作製することが可能となる。
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東京大学は、室温かつゼロ磁場の条件下で異常ネルンスト効果を発揮する薄膜を、鉄とスズから作製した。横型熱電効果で、大面積でフレキシブルなデバイス構造を低コストで作製することが可能となる。
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