ロームは、パワー半導体の新世代品「第5世代SiC MOSFET」を開発した。ジャンクション温度175℃でのオン抵抗を同サイズ同耐圧の第4世代品比で約30%低減しており、車載、産業機器の高効率化、小型化に寄与する。
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