imecは、化学増幅型レジスト(CAR)と高NA EUV露光を組み合わせ、22nmピッチのライン/スペースと中心間距離28nmのビアを1回の露光で形成できることを実証した。A14/A10ロジックプロセスのメタル層やビア層などで、実績のあるCARを継続利用できる可能性を示した。
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