ルネサス エレクトロニクスは、同社初となる100V耐圧のエンハンスメントモード(Eモード)GaN FET 4製品を発売し、低耐圧GaN市場に参入した。米Efficient Power Conversion(EPC)からライセンス供与を受けた低電圧eGaN技術を活用しつつ独自に製品化したもので、AIデータセンタの48V電源やヒューマノイドロボット、産業用モータなどを対象に、スイッチング損失を40～70％低減し、システムレベルで最大2倍の電力密度を実現できるとしている。
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