半導体の微細化をさらに進める高NA EUVに加え、CFET、3Dメモリ、裏面電源供給、ハイブリッドボンディングなど、デバイスと実装の3次元化が進もうとしている。表面から見えない高アスペクト比構造や積層内部、ウェハ裏面までを非破壊で捉えるには、光学、電子ビーム、X線、原子間力顕微鏡を組み合わせた新たな計測技術が必要となる。第3回では、imecが描く次世代計測ロードマップと、AIによるデータ処理、仮想計測、環境負荷低減の可能性を解説する。
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