三菱電機は、GaN基板上にGaNのエピタキシャル層を成膜するGaN on GaN技術を用いて作成した高周波トランジスタについて、SiC基板上にGaNエピ層を成膜して作成した場合との比較を通して、結晶欠陥に起因する周波数分散の影響の原因を解明するとともに、その影響を大幅に抑制できることを実証したと発表した。
|
|
三菱電機は、GaN基板上にGaNのエピタキシャル層を成膜するGaN on GaN技術を用いて作成した高周波トランジスタについて、SiC基板上にGaNエピ層を成膜して作成した場合との比較を通して、結晶欠陥に起因する周波数分散の影響の原因を解明するとともに、その影響を大幅に抑制できることを実証したと発表した。
|
Netflixは、ロバート・パティンソン主演のクライムサスペンス『ザ・テイク』を...
シャオミ・ジャパンは11月9日、新型フラッグシップスマートフォン「Xiaomi ...
NVIDIAは11月8日、創業者兼CEOのJensen Huang氏が外国情報機...
GenerativeXは11月9日、企業が利用するSaaSや社内システム、受託開...
NTTデータ先端技術は11月9日、外部公開資産の把握を支援する「INTELLIL...
Neoセキュリティは11月9日、セキュリティ人材の副業・独立を支援するサービス「...
タレスDISジャパンは11月9日、機密データに関するリスクの検出や分析、保護を一...
北海道電力は10月30日、2026年度中間期(4～9月)の連結決算を発表。売上高...
サイバーフォートレスは11月2日、ランサムウェアに関する情報を体系的に発信する専...
